IGBT逆變模塊損壞多半是由于驅(qū)動(dòng)電路損壞致使1個(gè)橋臂上的2個(gè)開(kāi)關(guān)器件同一時(shí)間導(dǎo)通所造成的。變頻器逆變功率模塊損壞是不管在矢量變頻器還是節(jié)能變頻器等其他變頻設(shè)備上常見(jiàn)到的故障，解決這種問(wèn)題只有查到損壞的根本原因，并首先消除再次損壞的可能，才能更換逆變模塊，否則換上去的新模塊會(huì)再損壞。
IGBT逆變模塊的一大缺陷就是存在中頻變壓器偏磁問(wèn)題，正常工作情況下，功率開(kāi)關(guān)器件在工作前半周與后半周導(dǎo)通脈寬相等，飽和壓降相等，前后半周交替通斷，變壓器磁心中沒(méi)有剩磁。但是，如果驅(qū)動(dòng)電路輸出脈寬不對(duì)稱(chēng)或其他原因，就會(huì)產(chǎn)生正負(fù)半周不平衡問(wèn)題，此時(shí)，變壓器內(nèi)的磁心會(huì)在某半周積累剩磁，出現(xiàn)“單向偏磁”現(xiàn)象，經(jīng)過(guò)幾個(gè)脈沖，就可以使變壓器單向磁通達(dá)到飽和，變壓器失去作用，等效成短路狀態(tài)。這對(duì)于IGBT來(lái)說(shuō)，極其危險(xiǎn)，可能引發(fā)爆炸。
橋式電路的另一缺點(diǎn)是容易產(chǎn)生直通現(xiàn)象。直通現(xiàn)象是指同橋臂的IGBT在前后半周導(dǎo)通區(qū)間出現(xiàn)重疊，主電路板路，巨大的加路電流瞬時(shí)通過(guò)IGBT。
針對(duì)上述兩點(diǎn)不足，從驅(qū)動(dòng)的角度出發(fā)、設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)電路必須滿(mǎn)足四路驅(qū)動(dòng)的波形*對(duì)稱(chēng)，嚴(yán)格限制大工作脈寬，保證死區(qū)時(shí)間足夠.
針對(duì)IGBT逆變模塊，用分立元件設(shè)計(jì)出IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)電路。四路驅(qū)動(dòng)波形嚴(yán)格一致，相位精確，柵極信號(hào)前沿陡峭。實(shí)驗(yàn)果表明：研制的驅(qū)動(dòng)電路*符合IGBT的驅(qū)動(dòng)要求，能夠使IGBT可靠工作，具有一定的實(shí)用價(jià)值。
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更新時(shí)間：2020-03-19 
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