IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

產(chǎn)品型號：1MBI300S-120
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時(shí)間：2023-12-25
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詳細(xì)介紹

1200V / 300A 1 in one-package
Features
· High speed switching
· Voltage drive
· Low inductance module structure
Applications
· Inverter for Motor drive
· AC and DC Servo drive amplifier
· Uninterruptible power supply
· Industrial machines, such as Welding machines
Maximum ratings and characteristics
Absolute maximum ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)

日本富士 IGBT 模塊（耐壓600/1200/1400/1800/2000V）系列：
日本富士 IGBT 1單元600V系列：
1MBH50D-060	1MBH50-090	1MBH60-100	1MBH60D-100
1MBI30L-060	1MBI50L-060	1MBI75FE-060	1MBI75L-060
1MBI100L-060	1MBI150NH-060	1MBI150NK-060	1MBI200NH-060
1MBI200NK-060	1MBI300L-060	1MBI300N-060	1MBI300F-060
1MBI400F-060	1MBI400L-060	1MBI400N-060	1MBI600LP-060
1MBI600LN-060	1MBI600NP-060	1MBI600NN-060
日本富士 IGBT 1單元1200V系列：
1MBI200L-120	1MBI200N-120	1MBI200S-120	1MBI200F-120
1MBI300F-120	1MBI300L-120	1MBI300N-120	1MBI300S-120
1MBI300JN-120	1MBI300JB-120	1MBI300NP-120	1MBI300NN-120
1MBI400JN-120	1MBI400JP-120	1MBI400NP-120	1MBI400NN-120
1MBI400NA-120	1MBI400L-120	1MBI400N-120	1MBI400S-120
1MBI600PX-120
日本富士 IGBT 1單元1400/1800/2000V系列：
1MBI600PX-140	1MBI800PN-180	1MBI400L-200	1MBI400A-200