英飛凌IGBT模塊BSM100GD120DN2

變頻器、伺服器常用IGBT功率模塊BSM100GD120DN2

北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司專業(yè)銷售英飛凌IGBT模塊BSM100GD120DN2

德國(guó)英飛凌6單元IGBT功率模塊BSM100GD120DN2

1200V  100A 功率IGBT模塊BSM100GD120DN2

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是大規(guī)模功率集成半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。IGBT采用MOS柵輸入結(jié)構(gòu)，開(kāi)關(guān)主體是雙極晶體管，它兼有MOSFET的高輸入阻抗、電壓控制特點(diǎn)，又具有雙極晶體管低飽和壓降的優(yōu)勢(shì)；其zui顯著特點(diǎn)是高速、高壓、大電流。功率開(kāi)關(guān)在功率變換電路里處于核心地位，IGBT是當(dāng)代功率開(kāi)關(guān)的主流器件。功率半導(dǎo)體器件一直是西門(mén)子/Infineon的核心產(chǎn)品，西門(mén)子在*推出新型NPT-IGBT芯片，具有高可靠、低成本的*性能價(jià)格比。西門(mén)子可提供電流從6A到3600A；電壓從600V、1200V、1700V、2500V、3300V、到6500V全系列各種封裝形式的IGBT模塊。頻率特性高頻差好好續(xù)表應(yīng)用多級(jí)放大器中間級(jí),低頻放大輸入級(jí)、輸出級(jí)或作阻抗匹配用高頻或?qū)掝l帶電路及恒流源 

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型號(hào)6U /600V/1200V 技術(shù)指標(biāo) 型號(hào) (6U /1200V/1700V) 技術(shù)指標(biāo) 
BSM10GD60DLC 10A/600V/6U 
BSM25GD120DN2 25A/1200V/6U 
BSM15GD60DLC 15A/600V/6U 
BSM25GD120D2 25A/1200V/6U 
BSM25GD60DLC 25A/600V/6U 
BSM35GD120DN2 35A/1200V/6U 
BSM30GD60DLC 30A/600V/6U 
BSM35GD120DN2 35A/1200V/6U 
BSM50GD60DLC 50A/600V/6U 
BSM50GD120DN2 50A/1200V/6U 
BSM75GD60DLC 75A/600V/6U 
BSM75GD120DN2 75A/1200V/6U 
BSM100GD60DLC 100A/600V/6U 
BSM50GD120DLC 50A/1200V/6U 
BSM100GD120DN2 100A/1200V/6U 
BSM75GD120DLC 75A/1200V/6U 
BSM100GD120DLC 100A/1200V/6U 
BSM35GD120DLC 35A/1200V/6U 
BSM150GD60DLC 150A/600V/6U 
BSM50GD170DL 50A/1700V/6U 
BSM200GD60DLC 200A/600V/6U 
BSM75GD170DL 75A/1700V/6U 
BSM10GD120DN2 10A/1200V/6U 
BSM100GT170DL 100A/1700V/6U 
BSM15GD120D2 15A/1200V/6U 
BSM100GT120DN2 100A/1200V/6U 
BSM15GD120DN1 15A/1200V/6U 
BSM150GT120DN2 150A/1200V/6U 
BSM15GD120DN2 15A/1200V/6U 
BSM150GT170DL 150A/1700V/6U 
BSM25GD120DN1 25A/1200V/6U 
BSM200GT120DN2 200A/1200V/6U